Intel достигла важной вехи в развитии технологий производства полупроводников - компания успешно обработала 30 000 кремниевых пластин на новейших литографических системах ASML High-NA EUV.
По информации, представленной инженером Intel Стивом Карсоном на конференции SPIE Advanced Lithography + Patterning, компания установила и запустила два станка модели Twinscan EXE:5000 на своей исследовательской фабрике D1 около Хиллсборо, штат Орегон.
Каждая такая система стоимостью около 350 миллионов евро представляет собой передовое оборудование для литографии с использованием экстремального ультрафиолетового излучения (EUV) с высокой числовой апертурой (High-NA).
Новые станки позволяют достигать разрешения до 8 нанометров за одну экспозицию, что существенно превосходит возможности текущего поколения Low-NA EUV систем с разрешением 13,5 нм.
Intel планирует использовать данное оборудование для производства чипов по технологии 14A (класс 1,4 нм) в будущем. Раннее внедрение High-NA EUV позволяет компании разрабатывать различные аспекты производства, которые могут стать отраслевыми стандартами.
Хотя 30 000 обработанных пластин значительно меньше производительности коммерческих систем, для исследовательских целей это весьма внушительный показатель. По сообщениям Intel, надежность новых станков превосходит предыдущие модели.
Стоит отметить, что другие производители чипов придерживаются более осторожного подхода к внедрению High-NA EUV. Например, TSMC пока не торопится с освоением этой технологии.